2019年8月，侯志灵教授研究团队在ACS Applied Materials & Interfaces期刊上发表了题为“Ultra-Thin Topological Insulator Absorber: Unique Dielectric Behavior of Bi2Te3 Nanosheets Based on Conducting Surface States”的研究论文，报道的拓扑绝缘体 Bi2Te3纳米片是一种出色的超薄微波吸收材料。本论文基于拓扑表面态电输运调控，显著改善了介电阻抗匹配特性，在0.77 mm的厚度下成功实现了3.0 GHz带宽的微波吸收。这种材料是目前已报道的文献中厚度最薄的吸波材料，在隐身涂层或微波集成电路中具有广泛应用前景。原文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.9b13775(ACS Applied Materials & Interfaces.)

图1.拓扑绝缘体的特性及吸波应用示意图