个人简介

姓名：张纪才

职称：教授

联系方式：jczhang@mail.buct.edu.cn

教育背景

2005年07月，中国科学院半导体研究所，获博士学位

2001年07月，北京大学物理学院，获硕士学位

1997年07月，曲阜师范大学物理学院，获学士学位

工作经历

2005年12月-2006年10月，以色列理工大学，博士后

2006年11月-2010年3月，日本名古屋工业大学，讲师（研究机构研究员）

2010年4月-2010年7月，日本三重大学，研究员

2010年7月-2017年6月，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，研究员

2017年7月-至今, 北京化工大学, 教授

研究领域

1.非极性AlN材料的高温CVD生长及材料特性研究

2.BN材料的高温CVD生长及材料特性研究

3.AlGaN基深紫外LED研究

4.可穿戴技术研究

科研成果

代表性文章

1. Maosong Sun, Jinfeng Li, Jicai Zhang, and Wenhong Sun，The fabrication of AlN by hydride vapor phase epitaxy，Journal of Semiconductors，40, 121803 (2019)。

2. Denggui Wang, Yong Lu, Junhua Meng*, Xingwang Zhang, Zhigang Yin, Menglei Gao, Ye Wang, Likun Cheng, Jingbi You and Jicai Zhang, Remote heteroepitaxy of atomic layered hafnium disulfide on sapphire through hexagonal boron nitride, Nanoscale, 11, 9310-9318 (2019).

3.  Jinfeng Li, Xu li, Yong Lu, Weiguo Hu and Jicai Zhang, “Effect of oxygen plasma modification on Pd/Al/Au Ohmic contacts on undoped AlN”, J. Phy. D: Appl. Phys. 52, 505106 (2019)

4. Wei Sha, Jicai Zhang, Shuxin Tan, Xiangdong Luo and Weiguo Hu, “III-Nitrides piezotronic/piezo-phototronic materials and devices”, J. Phy. D: Appl. Phys. 52, 213003 (2018).

5.  Shuxin Tan, Jicai Zhang, Takashi Egawa，and Gang Chen, “Influence of quantum-well number and AlN electron blocking layer on the electroluminescence properties of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes”, Appl. Sci. 8, 2402 (2018).

6.  Shuxin Tan, Xuguang Deng, Boshun Zhang, and Jicai Zhang, “Thermal stability of F ion-implant isolated AlGaN/GaN”, Sci. China-Phys. Mech. Astron. 61, 127311 (2018).

7. Shuxin Tan,Jicai Zhang, Takashi Egawa*, Gang Chen, Xiangdong Luo, Ling Sun and Youhua Zhu, “Influence of Quantum-Well Width on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes at Different Temperatures”, Nanoscale Research Letters 13, 334 (2018).

8. Ruixiang Hou, Lei Li, Xin Fang, Ziang Xie, Shuti Li, Weidong Song, Rong Huang,Jicai Zhang, Zengli Huang, Qiangjie Li, Wanjing Xu, Engang Fu, G.G. Qin, Ambient-temperature diffusion and gettering of Pt atoms in GaN with surface defect region under 60Co gamma or MeV electron irradiation, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 414 (2018) 74–78.

专利

1.张纪才，高温CVD设备，ZL201822192437.6。

2.张纪才，李金峰，氮化铝模板及其制备方法，201910066040.9。

3.王南茜，常鹤鸣，刘忠鹤，王泰琪，黄聪颖，张纪才，基于深紫外LED杀菌的智能抽纸设备，202020730852.7。

招生要求

每年招收硕士生3名，博士生1名。