10月26日，数理学院在昌平校区体育馆多功能厅举办“析数・悟理”系列高端学术讲座第十场报告会。本次活动特邀中国科学院物理研究所于国强研究员，带来题为“拓扑自旋存储材料和器件”的学术报告。报告会由数理学院院长王维主持，昌平校区师生近200人参加。

报告会上，于国强研究员围绕拓扑自旋存储材料与器件前沿方向展开分享。基于电子自旋属性的自旋电子器件在信息存储与处理领域具有重要应用前景。为实现高性能器件，亟需探索尺寸更小、更高效的磁性信息载体及其调控机制，以突破存储密度与功耗瓶颈。拓扑磁结构斯格明子因其纳米尺度尺寸和超低驱动电流密度等优异特性，被视为未来高密度、高速度、低功耗磁存储及逻辑器件的理想信息载体。于国强研究员系统介绍了其研究团队在拓扑自旋存储材料及器件领域的最新科研成果，同时针对该领域现阶段亟待攻克的关键科学问题展开深度剖析。

互动交流环节，在场师生踊跃发问、积极探讨，于国强研究员耐心细致地解答了大家关切的各类科研问题，现场学术交流氛围浓厚热烈。

“析数・悟理” 系列高端学术讲座将持续构筑高水平学术交流阵地，助力广大师生洞悉学科前沿、把握发展趋势，在交流思辨中锤炼科研思维、精进科研素养，为学院科研创新与人才培养高质量发展注入强劲动力。

【报告人简介】

于国强，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、实验室副主任。国自然青年科学基金A类项目、中组部青年人才项目、中国科学院人才项目获得者。2007年毕业于吉林大学，2012年在中国科学院物理研究所获博士学位。2012至2017年在美国加州大学洛杉矶分校从事自旋电子学研究。2017年10月加入中国科学院物理所磁学国家重点实验室。获得中国电子学会先进工作者、中国科学院优秀研究生导师、物理所科技新人奖。主要从事自旋电子材料和器件相关的研究。至今已经在Nat. Nanotechnol.、Phys. Rev. Lett.、Adv. Mater.等国际重要期刊上发表学术论文200余篇，引用超过1.8万次；获中国发明和国际专利授权20余项。担任中国电子学会应用磁学分会委员、秘书长；中国物理学会磁学专业委员会委员、秘书长；低温物理专业委员会委员；中国材料研究学会纳米材料与器件分会理事会理事、副秘书长。被聘任为《国家科学进展》（National Science Open，NSO）编委、《金属学报》青年编委委员、四刊（Chinese Physics Letters、Chinese Physics B、《物理学报》和《物理》）联合青年编委。

供稿：张晨

审核：林承友 王立军